型号:
TEFT4300
数量:
89562
厂商:
VISHAY正品
批号:
最新年份
封装:
DIP-2
货期:

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商城客服

详细信息
标准包装 5,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 70V
- 集电极电流(Ic)(最大) 50mA
电流 - 暗(ID)(最大值) 200nA
波长 925nm
可视角度 60°
功率 - 最大 100mW
安装类型 Through Hole
取向 Top View
包/盒 Radial, 3mm Dia (T 1)
包装 2T-1
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 50 mA
峰值波长 925 nm
透镜形状类型 Domed
镜头规格 3 mm
观看方向 Top View
半强度角度 60 °
极性 NPN
截止滤光片 Visible Cut-off
标准包装 Bulk
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 100 mW
最大暗电流 200 nA
封装/外壳 T-1
集电极 - 发射极最大电压VCEO 70 V
集电极 - 发射极击穿电压 70 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
最高工作温度 + 100 C
最低工作温度 - 40 C
封装 Bulk
产品 Phototransistors
工厂包装数量 5000
波长 925 nm
最大光电流 3200(Typ)
安装 Through Hole
最大集电极发射极饱和电压 0.3
包装宽度 3.9
PCB 2
最大功率耗散 100
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
引脚数 2
最大暗电流 200
峰值波长 925
最低工作温度 -40
供应商封装形式 T-1
标准包装名称 T-1
最高工作温度 100
最大的发射极集电极电压 5
包装长度 3.2
半强度角度 60
最大集电极发射极电压 70
包装高度 4.5
最大集电极电流 50
铅形状 Through Hole
匹配代码 TEFT4300
探测角度
V( CEO ) 70V
单位包 1000
标准的提前期 6 weeks
最小起订量 5000
Sens.range分 100nm
上升/下降时间 2.3ns
SMD / THT THT
暗电流为100nA 0.8nA
汽车 NO
Max.sensivity 925nm
Sens.range最大 60nm
电流 - 暗( Id)(最大) 200nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
定位 Top View
安装类型 Through Hole
系列 *
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 70V
可视角度 60°
功率 - 最大 100mW
其他名称 751-1041
封装/外壳 Radial, 3mm Dia (T-1)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
最大通态集电极电流 50 mA
集电极电流(DC ) 0.05 A
集电极 - 发射极电压 70 V
发射极 - 集电极电压(最大值) 5 V
半强度角 60 deg
功率耗散 0.1 W
工作温度范围 -40C to 100C
包装类型 T-1
暗电流 200 nA
光电流 3200 uA
元件数 1
工作温度分类 Industrial
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) 0.3 V
弧度硬化 No
晶体管极性 :NPN
Wavelength Typ :925nm
功耗 :100mW
Transistor Case Style :T-1 (3mm)
No. of Pins :2
Angle of Half Sensitivity ± :30°
Current Ic Typ :3.2mA
Fall Time tf :1.5μs
引线间距 :2.54mm
Nom Sensitivity @ mW/cm2 :3.2mA @ 1mW/cm2
Peak Spectral Response Wavelength :950nm
上升时间 :1.5μs
Sensitivity @ mW / cm2 Max :0.8@0.5
Sensitivity @ mW / cm2 Min :3.2@0.5
晶体管类型 :Photo
Voltage Vcc :5V
Weight (kg) 0.006