型号:
IR2103STRPBF供应商 IR2103S供应商
数量:
5782
厂商:
IOR
批号:
最新年份
封装:
SOP-8
货期:

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详细信息
标准包装 2,500
配置 Half Bridge
Input 型 Inverting and Non-Inverting
延迟时间 680ns
电流 - 峰值 210mA
配置数 1
输出数 2
高压侧电压 - 马克斯(引导) 600V
- 电源电压 10 V ~ 20 V
操作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC
驱动器类型 High and Low Side
驱动程序配置 Inverting|Non-Inverting
输出数 2
最大工作电源电压 20 V
最低工作电源电压 10 V
峰值输出电流 0.36(Typ) A
最大功率耗散 625 mW
输入逻辑相容性 CMOS|LSTTL|3.3V(Min)|5V|15V
最大上升时间 170 ns
最大开启延迟时间 820 ns
最大下降时间 90 ns
最大关闭延迟时间 220 ns
工作温度 -40 to 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 625
最大关闭延迟时间 220
欧盟RoHS指令 Compliant
桥型 Half Bridge
最大下降时间 90
峰值输出电流 0.36(Typ)
最低工作温度 -40
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 125
包装长度 5(Max)
最低工作电源电压 10
引脚数 8
最大传播延迟时间 60
包装高度 1.5(Max)
驱动器数 2
封装 Tape and Reel
最大开启延迟时间 820
最大工作电源电压 20
最大上升时间 170
铅形状 Gull-wing
安装类型 Surface Mount
配置数 1
供应商设备封装 8-SOIC N
电压 - 电源 10 V ~ 20 V
输入类型 Inverting and Non-Inverting
高端电压 - 最大值(自启动) 600V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
配置 Half Bridge
电流 - 峰值 210mA
延迟时间 680ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IR2103SPBFDKR
工厂包装数量 2500
上升时间 170 ns
RoHS RoHS Compliant
输出电流 360 mA
下降时间 90 ns
最高工作温度 + 125 C
安装风格 SMD/SMT
电源电压 - 最大 20 V
最低工作温度 - 40 C
电源电压 - 最小 10 V
类型 High and Low Side
IR2103STRPBF系列产品
型号 厂家 产品描述
IR2103PBF international rectifier MOSFET DRVR 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP
IR2103SPBF international rectifier MOSFET DRVR 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC
IR2103STRPBF也可以通过以下分类找到
产品分类 电源管理  MOSFET和电源驱动器
产品分类 半导体与光电子 集成电路 - 集成电路 电源管理IC  栅极驱动器
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IR2103(S)PBF Half-Bridge Driver Features Product Summary · Floating channel designed for bootstrap operation · Fully operational to +600V VOFFSET (max) 600V · Tolerant to negative transient voltage · dV/dt immune IO+/- 130mA / 270mA · Gate drive supply range from 10 to 20V · Undervoltage lockout VOUT 10V – 20V · 3.3V, 5V and 15V logic compatible · Cross-conduction prevention logic · Matched propagation delay for both channels ton/off (typ.) 680 & 150 ns · Internal set deadtime · High side output in phase with HIN input Deadtime (typ.) 520 ns · Low side output out of phase with LIN input Description Package Options The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the 8 Lead SOIC 8 Lead PDIP high side configuration which operates up to 600 volts. Ordering Information