型号:
AO3400A 【AO3400A】哪家好?找亚泰盈科
数量:
52350
厂商:
AOS
批号:
2016+
封装:
SOT-23(SOT-23-3)
货期:
起订量
价格
5-45
¥0.464
50- 145
¥0.348
150- 495
¥0.326
500 以上
¥0.304
0.464
2.32

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详细信息
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 26.5 mOhm @ 5.7A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 13nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1100pF @ 15V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOT-23
包装高度 1
安装 Surface Mount
最大功率耗散 1400
渠道类型 N
最大漏源电阻 26.5@10V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
包装宽度 1.6
供应商封装形式 SOT-23
包装长度 2.9
PCB 3
最大连续漏极电流 5.7
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate, 2.5V Drive
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.7A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3
其他名称 785-1000-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 26.5 mOhm @ 5.7A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.4W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1100pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 13nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏极电流(最大值) 5.7 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) 12 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 1.4 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.0265 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 5.7 A