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场效应管 MOSFET N SOT-223 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 1A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 1.5ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 2W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-223
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: ZVN4206
功耗, Pd: 2W
功耗, Pd: 2W
外宽: 6.7mm
外部深度: 7.3mm
外部长度/高度: 1.7mm
封装/箱盒: SOT-223
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
带子宽度: 12mm
总功率, Ptot: 2W
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 1A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 60V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 8A
阈值电压, Vgs th 最高: 3V