型号:
TPS1100DR 【TPS1100DR】哪家好?找亚泰盈科
数量:
52150
厂商:
TI(德州仪器)
批号:
2016+
封装:
SOP-8_150mil
货期:
起订量
价格
1-9
¥6.74
10-29
¥5.23
30-99
¥4.94
100以上
¥4.63
6.74
6.74

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商城客服

详细信息
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):15V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.45nC @ 10V
功率 - 最大值:791mW
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC