型号:
NTMD6P02R2G 【NTMD6P02R2G】哪家好?找亚泰盈科
数量:
50213
厂商:
ON(安森美)
批号:
2016+
封装:
SOIC-8_150mil
货期:
起订量
价格
1-9
¥3.32
10-29
¥2.50
30-99
¥2.34
100以上
¥2.18
3.32
3.32

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商城客服

详细信息
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.8A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 6.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 16V
功率 - 最大值:750mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC