标准包装 3,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 16 mOhm @ 8.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 24nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1250pF @ 15V
功率 - 最大 2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOIC
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8.5A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 8-SOIC
其他名称 785-1059-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 16 mOhm @ 8.5A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 2W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 30V