标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 70A
Rds(最大)@ ID,VGS 3 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 58nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4300pF @ 15V
功率 - 最大 2.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252