标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 46A
Rds(最大)@ ID,VGS 10.7 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 25nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2410pF @ 30V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 46A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250μA
供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)
其他名称 785-1349-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10.7 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
标准包装 2,500
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 2410pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 25nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63