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  2. IRF3315S
型号：
IRF3315S
数量：
85971
厂商：
IR
批号：
新年份
封装：
TO-263
货期：

询价热线0755-83759982　83759919　 13928452225 联系人：钟小姐
商城客服

详细信息
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 150V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 21A
Rds（最大）@ ID，VGS 82 mOhm @ 12A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 95nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1300pF @ 25V
功率 - 最大 3.8W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 150 V
最大连续漏极电流 21 A
RDS -于 82@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 9.6 ns
典型上升时间 32 ns
典型关闭延迟时间 49 ns
典型下降时间 38 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 D2PAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 82@10V
最大漏源电压 150
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 D2PAK
最大功率耗散 3800
最大连续漏极电流 21
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 21A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 150V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 82 mOhm @ 12A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.8W
封装/外壳 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容（Ciss ） @ VDS 1300pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 95nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 800
配置 Single Quint Source
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 21 A
正向跨导 - 闵 17 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 82 mOhms
功率耗散 94 W
最低工作温度 - 55 C
栅极电荷Qg 95 nC
上升时间 32 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 150 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 38 ns
IRF3315STRRPBF系列产品
型号 厂家 产品描述
IRF3315HR International Rectifier Trans MOSFET N-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF3315PBF international rectifier Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF3315SHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF3315SPBF international rectifier Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF3315STRLHR International Rectifier Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3315STRLPBF international rectifier Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R







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