NXP DC:DC电池充电器解决方案
发布时间：2017/2/23
NXP DC:DC电池充电器解决方案
时至今日，锂离子电池为不同的便携式设备供电，此类设备使用快速内部充电器，需要高级别的电压/电流控制和温度监控。在此类应用中，设备通常在低电压(< 3 V)下工作，高能源效率是该类应用的主要考量。市场上大部分电池技术使用外部通道元件解决方案，两种主要途径的区别在于：双极结型晶体管(BJT)或一个MOSFET作为通道元件。恩智浦提供一系列具有极低饱和电压(VCEsat)的BJT和具有高电流增益(hFE)能力的BJT。如果PMU能够直接偏置BISS晶体管，则低VCEsat(BISS)晶体管能轻易地取代该应用中的MOSFET。反之，则需要一个额外的小信号MOSFET控制晶体管。两种解决方案都提供了同样的MOSFET性能，并具有成本大幅度下降和泄漏电流极低等优势。
主要特性和优势
- 高效调光：低VCEsat(BISS)晶体管与同功率MOSFET（最新器件在电流为1 A时具有低于50 mV的超低饱和电压）相比具有更低的正向电阻
- 低启动电压（通常VBE=0.7伏，而MOSFET VGS=1.8至10伏）
- 反向阻断功能是BISS晶体管的固有功能，不需要额外的阻流二极管
- 正增益与温度系数
- 与无ESD保护的MOSFET相比，高ESD电平是一项固有功能
- 电流驱动的控制环路对供电电压变化不敏感
