NCEP85T12 TO-220 NCE新洁能最新型号 NCEP85T12价格/供应商
发布时间：2018/2/3
NCEP85T12采用独特超级沟槽工艺技术提高高频下开关特性，降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）。NCEP85T12的FOM (品质因数(Rdson*Qg))大大降低，其软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰，实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。同时全面提升了产品的导通电阻温度特性，有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量。
产品应用：
- 同步整流
- 高频开关电路
- 隔离的直流-直流转换器
| 品名 | N沟道深沟槽MOSFET NCEP85T12 |
|---|---|
| 型号 | NCEP85T12 |
| 丝印标识 | NCEP85T12 |
| 品牌 | 新洁能 |
| 封装 | TO-220 |
| 器件结构 | 屏蔽栅深沟槽工艺 |
| 晶体管类型 | 单通道 |
| 晶体管极性 | N管 |
| 通道模式 | 增强型 |
| 栅极-源极电压 Vgs | ±20V |
| N沟道接通延迟时间(nS) | 13.50 |
| N沟道接通上升时间(nS) | 12.50 |
| N沟道关断延迟时间(nS) | 38.00 |
| N沟道关断下降时间(nS) | 13.50 |
| 体二极管正向电压 Vsd @ Is | 1.2V @ 120A |
| 体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C | 74nS |
| 体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C | 176nC |
| 最高环境工作温度 | 175℃ |
| 最低环境工作温度 | -55℃ |
| 最小包装数量 | 50 |
| 包装方法 | 管装 |
| 生产状态 | 现货 |
| 工程技术 | MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。 |
| 外观尺寸 | 10.16mm×8.70mm×4.57mm |
