FQU1N60C 1N60 全新原装 MOS 场效应管 TO-252 优势现货

发布时间:2016/8/10

FQU1N60C 1N60 全新原装 MOS 场效应管 TO-252 优势现货


晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 600 V

闸/源击穿电压: +/- 30 V

漏极连续电流: 1 A

导通电阻: 11.5 Ohms

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: IPAK

封装: Tube

商标: Fairchild Semiconductor

下降时间: 27 ns

正向跨导 - 最小值: 0.75 S

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 2.5 W

上升时间: 21 ns

系列: FQU1N60

工厂包装数量: 70

典型关闭延迟时间: 13 ns

零件号别名: FQU1N60CTU_NL

单位重量: 343.080 mg


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