FQPF4N90C 4N90 全新原装 MOS管 N沟道900V 4A TO-220F 现货

晶体管极性： N-Channel

汲极/源极击穿电压： 900 V

闸/源击穿电压： +/- 30 V

漏极连续电流： 4 A

导通电阻： 4.2 Ohms

配置： Single

最大工作温度： + 150 C

安装风格： Through Hole

封装 / 箱体： TO-220F

封装： Tube

商标： Fairchild Semiconductor

下降时间： 35 ns

正向跨导 - 最小值： 5 S

最小工作温度： - 55 C

功率耗散： 47 W

上升时间： 50 ns

系列： FQPF4N90C

工厂包装数量： 50

典型关闭延迟时间： 40 ns

零件号别名： FQPF4N90C_NL

单位重量： 2.270 g

我司主营IR、NXP、TI、ST、AD等集成电路存储芯片、二三极管；ATMEL、MICROCHI、海尔、STC、贝岭矽创等单片机，三星电容、三和电解 、AME 电源管理 、华虹NEC 的内存 、OB、MICREAL的通信IC；

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