CY14B101Q2-LHXI
厂商名称： Cypress Semiconductor Corp.
CY14B101Q2-LHXI元件分类： 存储器
CY14B101Q2-LHXI中文描述：
128K × 8 非易失性存储器, PDSO8
CY14B101Q2-LHXI英文描述：
128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, PDSO8
功能数量1
CY14B101Q2-LHXI端子数量8
CY14B101Q2-LHXI最大工作温度85 Cel
CY14B101Q2-LHXI最小工作温度-40 Cel
CY14B101Q2-LHXI最大供电/工作电压3.6 V
CY14B101Q2-LHXI最小供电/工作电压2.7 V
CY14B101Q2-LHXI额定供电电压3 V
CY14B101Q2-LHXI加工封装描述0.196 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-240, DFN-8
CY14B101Q2-LHXI状态ACTIVE
CY14B101Q2-LHXI包装形状RECTANGULAR
CY14B101Q2-LHXI包装尺寸SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
CY14B101Q2-LHXI表面贴装Yes
CY14B101Q2-LHXI端子形式NO LEAD
CY14B101Q2-LHXI端子间距1.27 mm
CY14B101Q2-LHXI端子涂层NOT SPECIFIED
CY14B101Q2-LHXI端子位置DUAL
CY14B101Q2-LHXI包装材料PLASTIC/EPOXY
CY14B101Q2-LHXI温度等级INDUSTRIAL
CY14B101Q2-LHXI内存宽度8
CY14B101Q2-LHXI组织128K X 8
CY14B101Q2-LHXI存储密度1.05E6 deg
CY14B101Q2-LHXI操作模式SYNCHRONOUS
CY14B101Q2-LHXI位数131072 words
CY14B101Q2-LHXI位数128K
CY14B101Q2-LHXI内存IC类型NON-VOLATILE SRAM
CY14B101Q2-LHXI串行并行SERIAL
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