IXTP60N20T特性,参数,图片 IXTP60N20T中文元件说明书

发布时间:2019/1/12

标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 60A
Rds(最大)@ ID,VGS 40 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 73nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4530pF @ 25V
功率 - 最大 500W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 60A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250μA
漏极至源极电压(Vdss) 200V
标准包装 50
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 40 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 4530pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 73nC @ 10V
工厂包装数量 50
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 60 A
系列 IXTP60N20
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 32 mOhms
功率耗散 500 W
正向跨导 - 闵 62 S / 40 S
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant