MOSFET IXTP60N20T 制造商IXYS 中文PDF资料及实物图片
发布时间：2019/1/12
IXTP60N20T
规格信息：
制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:60 A
Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:73 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:500 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:HiPerFET
封装:Tube
系列:IXTP60N20
晶体管类型:1 N-Channel
商标:IXYS
正向跨导 - 最小值:40 S
下降时间:13 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:13 ns
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:33 ns
典型接通延迟时间:22 ns
单位重量:350 mg
