2N7002ET1G特性，参数，图片 2N7002ET1G中文元件说明书
发布时间：2018/11/27
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 260mA
Rds（最大）@ ID，VGS 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.5V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 0.81nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 26.7pF @ 25V
功率 - 最大 300mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 0.26 A
RDS -于 2500@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 1.7 ns
典型上升时间 1.2 ns
典型关闭延迟时间 4.8 ns
典型下降时间 3.6 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 260mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.5V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300mW
漏极至源极电压（Vdss） 60V
输入电容（Ciss ） @ VDS 26.7pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 0.81nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 2N7002ET1GOSCT
类别 Small Signal
渠道类型 N
配置 Single
外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
身高 0.94mm
长度 2.9mm
最大漏源电阻 2.5 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.3 W
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 SOT-23
引脚数 3
典型栅极电荷@ VGS 0.81 nC V @ 5
典型输入电容@ VDS 26.7 pF V @ 25
宽度 1.3mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 0.26 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 2500 mOhms
功率耗散 300 mW
封装/外壳 SOT-23-3
上升时间 1.2 ns
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 1.2 ns
栅源电压（最大值） 20 V
漏源导通电阻 2.5 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Small Signal
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 60 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :310mA
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :0.86ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
功耗 :420mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
associated 2N7002ET3G
2N7002ET1G
2N7002K215
2N7002ET1G.
RE906
