BC847B特性，参数，图片 BC847B中文元件说明书
发布时间：2018/11/23
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
集电极电流（Ic）（最大） 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 45V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 400mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 200 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 250mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 TO-236AB
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-236AB
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 45 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 200@2mA@5V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.2@0.5mA@10mA|0.4@5mA@100mA V
最大集电极基极电压 50 V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 250 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -65
Maximum Transition Frequency 100(Min)
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 250
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
最大集电极发射极电压 45
供应商封装形式 TO-236AB
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3(Max)
包装高度 1(Max)
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 400mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 45V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 200 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-1633-1
类别 Bipolar Small Signal
配置 Single
外形尺寸 1 x 3 x 1.4mm
身高 1mm
长度 3mm
最大的基射极饱和电压 0.9 V
最大基地发射极电压 6 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -65 °C
包装类型 TO-236AB
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 100 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 200 at 2 mA at 5 V
直流电流增益hFE最大值 200 at 2 mA at 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
零件号别名 BC847B T/R
RoHS RoHS Compliant
集电极电流（DC ） 0.1 A
集电极 - 基极电压 50 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率 100 MHz
功率耗散 0.25 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益 200
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :45V
Transition Frequency ft :100MHz
功耗 :250mW
DC Collector Current :100mA
DC Current Gain hFE :200
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-236AB
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412100
Collector Emitter Voltage Vces :200mV
连续集电极电流Ic最大 :100A
Current Ic Continuous a Max :100mA
Current Ic hFE :2A
Device Marking :BC847B
Gain Bandwidth ft Min :100MHz
Gain Bandwidth ft Typ :300MHz
Hfe Min :200
No. of Transistors :1
Noise Factor Max :10dB
工作温度范围 :-65°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max :200mW
Reel Quantity :3000
SMD Marking :1F
胶带宽度 :8mm
端接类型 :SMD
Voltage Vcbo :50V
