IRFR024NTRPBF特性，参数，图片 IRFR024N中文元件说明书
发布时间：2018/11/12
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 55V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 17A
Rds（最大）@ ID，VGS 75 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 20nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 370pF @ 25V
功率 - 最大 45W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 17 A
RDS -于 75@10V mOhm
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最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 4.9 ns
典型上升时间 34 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型下降时间 27 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 17A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 55V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 75 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 45W
输入电容（Ciss ） @ VDS 370pF @ 25V
其他名称 IRFR024NPBFTR
闸电荷（Qg ） @ VGS 20nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 16 A
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 38 W
封装/外壳 DPAK
漏源击穿电压 55 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 13.3 nC
漏极电流（最大值） 17 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） 20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.075 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 DPAK
引脚数 2 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 55 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
associated 80-4-5
