FZT853TA特性，参数，图片 FZT853TA中文元件说明书
发布时间：2018/10/11
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流（Ic）（最大） 6A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 100V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 340mV @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 100 @ 2A, 2V
功率 - 最大 3W
频率转换 130MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 100 V
集电极最大直流电流 6 A
最小直流电流增益 100@10mA@2V|100@2A@2V|50@4A@2V|20@10A@2V
最大工作频率 130(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.05@5mA@0.1A|0.15@100mA@2A|0.34@500mA@5A V
最大集电极基极电压 200 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 3000 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 6
Maximum Transition Frequency 130(Typ)
包装宽度 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 3000
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 200
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
包装长度 6.7(Max)
最大集电极发射极电压 100
包装高度 1.65(Max)
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 3W
匹配代码 FZT853
I（C ） 6A
V（ CEO ） 100V
单位包 1000
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 1000
极化 NPN
无铅Defin RoHS-conform
电流增益 100
V（ CBO ） 200V
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 6A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 130MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 340mV @ 500mA, 5A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 100V
供应商设备封装 SOT-223
功率 - 最大 3W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 100 @ 2A, 2V
其他名称 FZT853TR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 130 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 100 at 10 mA at 2 V, 100 at 2 A at 2 V, 50 at 4 A at 2 V, 20 at 10 A at 2 V
直流电流增益hFE最大值 100
集电极 - 发射极最大电压VCEO 100 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 200 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 6 A
集电极电流（ DC）（最大值） 6 A
集电极 - 基极电压 200 V
集电极 - 发射极电压 100 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率（最大） 130 MHz
功率耗散 3 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
元件数 1
直流电流增益（最小值） 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 130 MHz
集电极电流（DC ） 6 A
直流电流增益 100
