M25P16-VME6TG 丝印25P16V6G 贴片 QFN-8 存储器ic芯片 全新原装
发布时间:2018/9/7
M25P16-VME6TG 丝印25P16V6G 贴片 QFN-8 存储器ic芯片 全新原装
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - Nor
内存大小 16M (2M x 8)
速度 75MHz
接口 SPI Serial
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8VDFPN EP
电池类型 NOR
密度 16 Mb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
典型工作电源电压 3.3 V
扇区大小 64Kbyte x 32
定时类型 Synchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 1 Bit
接口类型 Serial-SPI
页面大小 256 byte
标准包装 Tape & Reel
封装 Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
内存类型 FLASH - NOR
存储容量 16M (2M x 8)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
接口 SPI Serial
速度 75MHz
封装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 M25P16-VME6TGCT
访问时间(最大) 15 ns
地址总线 1 b
引导类型 Not Required
安装 Surface Mount
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 VDFPN EP
引脚数 8
编程/擦除电压(典型值) 2.7 to 3.6 V
字数 2M word
字长 8 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Synchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 12 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V