DMN2075U-7-F【DMN2075U 引脚参数】价格/供应商
发布时间：2018/8/24
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Bond Wire Change 11/Nov/2011
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 4.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 7nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 594.3pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 4.2 A
RDS -于 38@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 7.4 ns
典型上升时间 9.8 ns
典型关闭延迟时间 28.1 ns
典型下降时间 6.7 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 800
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 38@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 2.9
引脚数 3
包装高度 1
最大连续漏极电流 4.2
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 0.8W
匹配代码 DMN2075U
单位包 3000
标准的提前期 22 weeks
最小起订量 6000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
汽车 AEC-Q(101)
我（D ） 4.3A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.025Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 4.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 800mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS 594.3pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS 7nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 DMN2075U-7DICT
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 4.2 A
RDS（ON） 25 mOhms
功率耗散 0.8 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-23
上升时间 9.8 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 6.7 ns
栅源电压（最大值） 8 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
