IRFR220NTRPBF【IRFR220N 引脚参数】价格/供应商
发布时间：2018/8/23
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 5A
Rds（最大）@ ID，VGS 600 mOhm @ 2.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 23nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 300pF @ 25V
功率 - 最大 43W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 5 A
RDS -于 600@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 6.4 ns
典型上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 12 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 600@10V
最大漏源电压 200
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 43000
最大连续漏极电流 5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 5A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 200V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 600 mOhm @ 2.9A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 43W
输入电容（Ciss ） @ VDS 300pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 23nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 5 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 600 mOhms
功率耗散 43 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 DPAK
栅极电荷Qg 15 nC
上升时间 11 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12 ns
漏极电流（最大值） 5 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） 20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.6 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 DPAK
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 200 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
associated IRFR4620PBF
