NCE0128D N沟道增强型场效应管 Vds=100V Ids=28A RDS(ON)<18mΩ @ VGS=10V,TO-263
发布时间:2016/6/22


NCE0128D是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。
产品应用:
- 锂电池保护板
- 转换开关
- LED显示器/LCD监视器
- 马达控制
- 逆变器
- 开关电源
- 笔记本电脑/台式电脑/手机等电源管理
发布时间:2016/6/22


NCE0128D是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。
产品应用:
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