场效应管 NCE60R1K2K Vds=600V Ids=4A RDS(ON)<1200mΩ @ VGS=10V,TO-252
发布时间：2016/6/22
场效应管 NCE60R1K2K Vds=600V Ids=4A RDS(ON)<1200mΩ @ VGS=10V,TO-252 
NCE60R1K2k是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
产品应用：
- 电脑、服务器的电源
- HID/LED照明，工业照明，道路照明等 /li>
- 笔记本电脑，打印机等适配器
- 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）
