SI7686DP-T1-GE3【SI7686DP 引脚参数】价格/供应商
发布时间：2018/8/1
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 35A
Rds（最大）@ ID，VGS 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 26nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1220pF @ 15V
功率 - 最大 37.9W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK? SO-8
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 35A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 37.9W
标准包装 3,000
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 1220pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 26nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :35A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :14mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :3V
No. of Pins :8
Weight (kg) 0
