NTMD4N03R2G【NTMD4N03R引脚参数】价格/供应商
发布时间：2018/7/30
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 20/Aug/2008
标准包装 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 4A
Rds（最大）@ ID，VGS 60 mOhm @ 4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 16nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 400pF @ 20V
功率 - 最大 2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 4 A
RDS -于 60@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 7 ns
典型上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 16 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 2000
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 60@10V
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
包装高度 1.5(Max)
最大连续漏极电流 4
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 4A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 8-SOIC N
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 60 mOhm @ 4A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 2W
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 400pF @ 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS 16nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTMD4N03R2GOSCT
类别 Power MOSFET
配置 Dual Gate, Dual Source, Quad Drain
外形尺寸 5 x 4 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 5mm
最大漏源电阻 0.08 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOIC
典型栅极电荷@ VGS 8 nC @ 10 V dc
典型输入电容@ VDS 285 pF @ 20 V dc
宽度 4mm
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 4 A
正向跨导 - 闵 6 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 48 mOhms
功率耗散 2 W
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
上升时间 14 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 10 ns
associated 80-4-5
