SI7121DN-T1-GE3【SI7121DN-T1-GE3引脚参数】实图/价格 找亚泰盈科
发布时间：2018/7/20
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 16A
Rds（最大）@ ID，VGS 18 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 65nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1960pF @ 15V
功率 - 最大 52W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8PowerPAK 1212
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 10.6 A
RDS -于 18@10V mOhm
最大门源电压 ±25 V
典型导通延迟时间 11|44 ns
典型上升时间 13|100 ns
典型关闭延迟时间 32|28 ns
典型下降时间 9|15 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±25
包装宽度 3.05
PCB 8
最大功率耗散 3700
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 18@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 PowerPAK 1212
标准包装名称 PowerPAK 1212
最高工作温度 150
包装长度 3.05
引脚数 8
包装高度 1.04
最大连续漏极电流 10.6
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 16A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 18 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 52W
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 1960pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 65nC @ 10V
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI7121DN-T1-GE3CT
晶体管极性 :P Channel
Continuous Drain Current Id :16A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :18mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :25V
Threshold Voltage Vgs :-3V
功耗 :52W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PowerPAK 1212
No. of Pins :8
MSL :-
Current Id Max :-16A
Junction Temperature Tj Max :150°C
工作温度范围 :-55°C to +150°C
上升时间 :13ns
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :-3V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th Max :3V
Voltage Vgs th Min :1V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
associated EYGA121807A
EYGA091203SM
