IRFH7914TRPBF【IRFH7914TRPBF引脚参数】价格/供应商
发布时间：2018/7/16
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 15A
Rds（最大）@ ID，VGS 8.7 mOhm @ 14A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.35V @ 25μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 12nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1160pF @ 15V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerVQFN
供应商器件封装 PQFN (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8PQFN
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 15 A
RDS -于 8.7@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 4.6 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 QFN
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 8.7@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 PQFN
最大功率耗散 3100
最大连续漏极电流 15
引脚数 8
铅形状 No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 15A (Ta), 35A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.35V @ 25μA
漏极至源极电压（Vdss） 30V
供应商设备封装 PQFN (5x6)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 8.7 mOhm @ 14A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.1W
封装/外壳 8-PowerVQFN
输入电容（Ciss ） @ VDS 1160pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 12nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :14A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :7.5mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.8V
功耗 :3.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PQFN
No. of Pins :8
MSL :MSL 2 - 1 year
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :15A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :20V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0004
