标准包装 30
IGBT 型 Trench
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 330V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A
- 集电极电流（Ic）（最大） 90A
功率 - 最大 223W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3PN
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-3P(N)
最大栅极发射极电压 ±30
最大连续集电极电流 90
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-3P(N)
渠道类型 N
封装 Tube
最大集电极发射极电压 330
最大功率耗散 223000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 95nC
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 90A
安装类型 Through Hole
标准包装 30
时间Td（开/关） @ 25°C 23ns/100ns
Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 1.4V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 330V
供应商设备封装 TO-3PN
反向恢复时间（trr ） 23ns
功率 - 最大 223W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
IGBT类型 Trench
测试条件 200V, 20A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲（ ICM ） 330A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流（ DC）（最大值） 90 A
集电极 - 发射极电压 330 V
安装 Through Hole
包装类型 TO-3PN
工作温度（最大） 150C
工作温度（最小值） -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) 30 V
弧度硬化 No
集电极电流（DC ） 90 A
FGA90N33ATDTU系列产品
型号 厂家 产品描述
FGA90N33ATTU fairchild semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Tube
FGA90N33ATTU rochester electronics
FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor IGBT Transistors TBD
FGA90N30DTU rochester electronics
FGA90N30TU Fairchild Semiconductor IGBT Transistors TBD
FGA90N30TU rochester electronics