MJD122G【MJD122G引脚参数】价格/供应商

发布时间:2018/6/13

文档 Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 4V @ 80mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10μA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 1000 @ 4A, 4V
功率 - 最大 1.75W
频率转换 4MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tube
包装 3DPAK
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 100 V
峰值直流集电极电流 8 A
最小直流电流增益 1000@4A@4V|100@8A@4V
最大集电极发射极饱和电压 2@16mA@4A|4@80mA@8A V
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
产品种类 Transistors Darlington
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 NPN
集电极 - 发射极最大电压VCEO 100 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
集电极最大直流电流 8 A
最大集电极截止电流 10 uA
功率耗散 20 W
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 TO-252-3 (DPAK)
封装 Tube
连续集电极电流 8 A
直流集电极/增益hfe最小值 1000
最低工作温度 - 65 C
工厂包装数量 75
最大的基射极饱和电压 4.5@80mA@8A
最大集电极发射极饱和电压 2@16mA@4A|4@80mA@8A
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
最大功率耗散 1750
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -65
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 8
包装长度 6.73(Max)
最大集电极发射极电压 100
包装高度 2.38(Max)
最大基地发射极电压 5
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 4MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 4V @ 80mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10μA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 DPAK-3
功率 - 最大 1.75W
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 1000 @ 4A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
身高 2.38mm
长度 6.73mm
最大的基射极饱和电压 4.5 V
最大集电极基极电压 100 V
最大连续集电极电流 8 A
最大基地发射极电压 5 V
包装类型 DPAK
宽度 6.22mm
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :100V
功耗 :1.75W
DC Collector Current :8A
DC Current Gain hFE :12
Operating Temperature Min :-65°C
No. of Pins :3
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412100
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-252
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Av Current Ic :8A
Collector Emitter Voltage Vces :2V
连续集电极电流Ic最大 :8A
Current Ic Continuous a Max :8A
Current Ic hFE :4A
Device Marking :MJD122
外部深度 :10.5mm
External Length / Height :2.55mm
外宽 :6.8mm
Full Power Rating Temperature :25°C
Gain Bandwidth ft Min :4MHz
Hfe Min :1000
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-65°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max :20W
SMD Marking :MJD122
Voltage Vcbo :100V
associated RE901
FK 244 13 D PAK
FK 244 08 D PAK