FQP6N40C FQP6N40 6A/400V TO220 N沟道 MOS管场效应 供应商
发布时间：2018/4/9
晶体管极性：N-Channel 
汲极/源极击穿电压：400 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：6 A
导通电阻：1 Ohms
配置：Single
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-220-3
封装：Tube
商标：Fairchild Semiconductor
下降时间：38 ns
正向跨导 - 最小值：4.7 S
最小工作温度：- 55 C
功率耗散：73 W
上升时间：65 ns
系列：FQP6N40
工厂包装数量：50
典型关闭延迟时间：21 ns
零件号别名：FQP6N40C_NL
单位重量：1.800 g
