NCE80H11 TO-263 80V 105A N沟道 全新原装 NCE80H11价格优势
发布时间：2018/2/2
N沟道增强型场效应管NCE80H11 Vds=80V Ids=110A RDS(ON)<6.5mΩ @ VGS=10V,TO-220NCE80H11是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用先进的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。
产品应用：
- 开关电源
- 高频硬开关电路
- UPS电路
品名 N沟道MOSFET NCE80H11 型号 NCE80H11 丝印标识 NCE80H11 品牌 新洁能 封装 TO-220 器件结构 沟槽工艺 晶体管类型 单通道 晶体管极性 N管 通道模式 增强型 栅极-源极电压 Vgs ±20V N沟道接通延迟时间(nS) 20.00 N沟道接通上升时间(nS) 19.00 N沟道关断延迟时间(nS) 70.00 N沟道关断下降时间(nS) 30.00 体二极管正向电压 Vsd @ Is 1.2V @ 40A 体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C 37nS 体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C 58nC 最高环境工作温度 175℃ 最低环境工作温度 -55℃ 最小包装数量 50 包装方法 管装 生产状态 现货 工程技术 MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。
NCE80H11是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用先进的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。
产品应用：
- 开关电源
- 高频硬开关电路
- UPS电路
| 品名 | N沟道MOSFET NCE80H11 |
|---|---|
| 型号 | NCE80H11 |
| 丝印标识 | NCE80H11 |
| 品牌 | 新洁能 |
| 封装 | TO-220 |
| 器件结构 | 沟槽工艺 |
| 晶体管类型 | 单通道 |
| 晶体管极性 | N管 |
| 通道模式 | 增强型 |
| 栅极-源极电压 Vgs | ±20V |
| N沟道接通延迟时间(nS) | 20.00 |
| N沟道接通上升时间(nS) | 19.00 |
| N沟道关断延迟时间(nS) | 70.00 |
| N沟道关断下降时间(nS) | 30.00 |
| 体二极管正向电压 Vsd @ Is | 1.2V @ 40A |
| 体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C | 37nS |
| 体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C | 58nC |
| 最高环境工作温度 | 175℃ |
| 最低环境工作温度 | -55℃ |
| 最小包装数量 | 50 |
| 包装方法 | 管装 |
| 生产状态 | 现货 |
| 工程技术 | MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。 |
