NCE8290B82V90AMOS管 代理/82V90A MOS管封装TO-220 全新原装

发布时间:2018/1/31

N沟道增强型场效应管NCE8290B Vds=82V Ids=90A RDS(ON)<8.5mΩ @ VGS=10V,TO-220

NCE8290B是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

产品应用:

  • 开关电源
  • 高频硬开关电路
  • UPS电路
品名N沟道MOSFET NCE8290B
型号NCE8290B
丝印标识NCE8290B
品牌新洁能
封装TO-220
器件结构沟槽工艺
晶体管类型单通道
晶体管极性N管
通道模式增强型
栅极-源极电压 Vgs±20V
N沟道接通延迟时间(nS) 36.10
N沟道接通上升时间(nS) 54.30
N沟道关断延迟时间(nS) 85.20
N沟道关断下降时间(nS) 37.30
体二极管正向电压 Vsd @ Is1.2V @ 20A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C88.3nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C65.9nC
最高环境工作温度175℃
最低环境工作温度-55℃
最小包装数量50
包装方法管装
生产状态量产中
工程技术MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻; 4.用作恒流源;5.用作电子开关。, MOSFET特点: 1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。