NCE65R360D NCE65R360U NCE65R360F
发布时间：2018/1/29
超结场效应管 NCE65R360D Vds=650V Ids=11A RDS(ON)<360mΩ @ VGS=10V,TO-263
NCE65R360D是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
产品应用：
功率因数校正电路 (PFC)
开关模式电源
不间断电源 (UPS)
品名 超结Mosfet NCE65R360D
型号 NCE65R360D
丝印标识 NCE65R360D
品牌 新洁能
封装 TO-263
器件结构 超结工艺
晶体管类型 单通道
晶体管极性 N管
通道模式 增强型
栅极-源极电压 Vgs ±30V
N沟道接通延迟时间(nS) 9.00
N沟道接通上升时间(nS) 4.00
N沟道关断延迟时间(nS) 40.00
N沟道关断下降时间(nS) 4.50
体二极管正向电压 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C 245nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高环境工作温度 150℃
最低环境工作温度 -55℃
最小包装数量 800
包装方法 编带塑料盘
生产状态 量产中
工程技术 MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。
超结场效应管 NCE65R360U Vds=650V Ids=11A RDS(ON)<360mΩ @ VGS=10V,TO-262
NCE65R360U是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
产品应用：
功率因数校正电路 (PFC)
开关模式电源
不间断电源 (UPS)
品名 超结Mosfet NCE65R360U
型号 NCE65R360U
丝印标识 NCE65R360U
品牌 新洁能
封装 TO-262
器件结构 超结工艺
晶体管类型 单通道
晶体管极性 N管
通道模式 增强型
栅极-源极电压 Vgs ±30V
N沟道接通延迟时间(nS) 9.00
N沟道接通上升时间(nS) 4.00
N沟道关断延迟时间(nS) 40.00
N沟道关断下降时间(nS) 4.50
体二极管正向电压 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C 245nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高环境工作温度 150℃
最低环境工作温度 -55℃
最小包装数量 50
包装方法 管装
生产状态 现货
工程技术 MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。
NCE65R360U是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
产品应用：
功率因数校正电路 (PFC)
开关模式电源
不间断电源 (UPS)
品名 超结Mosfet NCE65R360U
型号 NCE65R360U
丝印标识 NCE65R360U
品牌 新洁能
封装 TO-262
器件结构 超结工艺
晶体管类型 单通道
晶体管极性 N管
通道模式 增强型
栅极-源极电压 Vgs ±30V
N沟道接通延迟时间(nS) 9.00
N沟道接通上升时间(nS) 4.00
N沟道关断延迟时间(nS) 40.00
N沟道关断下降时间(nS) 4.50
体二极管正向电压 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C 245nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高环境工作温度 150℃
最低环境工作温度 -55℃
最小包装数量 50
包装方法 管装
生产状态 现货
工程技术 MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。
超结场效应管 NCE65R360F Vds=650V Ids=11A RDS(ON)<360mΩ @ VGS=10V,TO-220F
NCE65R360F是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
产品应用：
功率因数校正电路 (PFC)
开关模式电源
不间断电源 (UPS)
品名 超结Mosfet NCE65R360F
型号 NCE65R360F
丝印标识 NCE65R360F
品牌 新洁能
封装 TO-220F
器件结构 超结工艺
晶体管类型 单通道
晶体管极性 N管
通道模式 增强型
栅极-源极电压 Vgs ±30V
N沟道接通延迟时间(nS) 9.00
N沟道接通上升时间(nS) 4.00
N沟道关断延迟时间(nS) 40.00
N沟道关断下降时间(nS) 4.50
体二极管正向电压 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C 245nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高环境工作温度 150℃
最低环境工作温度 -55℃
最小包装数量 50
包装方法 管装
生产状态 现货
工程技术 MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。
