新洁能 NCE65R900L NCE70R1K2F
发布时间：2018/1/29
超结场效应管 NCE65R900L Vds=650V Ids=5A RDS(ON)<900mΩ @ VGS=10V,TO-251S
NCE65R900L是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
产品应用：
功率因数校正电路 (PFC)
开关模式电源
不间断电源 (UPS)
品名 超结Mosfet NCE65R900L
型号 NCE65R900L
丝印标识 NCE65R900L
品牌 新洁能
封装 TO-251S
器件结构 超结工艺
晶体管类型 单通道
晶体管极性 N管
通道模式 增强型
栅极-源极电压 Vgs ±30V
N沟道接通延迟时间(nS) 6.00
N沟道接通上升时间(nS) 3.00
N沟道关断延迟时间(nS) 50.00
N沟道关断下降时间(nS) 9.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is 1V @ 5A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C 250nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C 2.2uC
最高环境工作温度 150℃
最低环境工作温度 -55℃
最小包装数量 80
包装方法 管装
生产状态 接单生产
工程技术 MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。
超结场效应管NCE70R1K2F Vds=700V Ids=4A RDS(ON)<1200mΩ @ VGS=10V,TO-220F
NCE70R1K2F是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
产品应用：
- 功率因数校正电路 (PFC)
- 开关模式电源
- 不间断电源 (UPS)
| 品名 | 超结Mosfet NCE70R1K2F |
|---|---|
| 型号 | NCE70R1K2F |
| 丝印标识 | NCE70R1K2F |
| 品牌 | 新洁能 |
| 封装 | TO-220F |
| 器件结构 | 超结工艺 |
| 晶体管类型 | 单通道 |
| 晶体管极性 | N管 |
| 通道模式 | 增强型 |
| 栅极-源极电压 Vgs | ±30V |
| N沟道接通延迟时间(nS) | 6.00 |
| N沟道接通上升时间(nS) | 3.00 |
| N沟道关断延迟时间(nS) | 48.00 |
| N沟道关断下降时间(nS) | 8.00 |
| 体二极管正向电压 Vsd @ Is | 1V @ 4A |
| 体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C | 150nS |
| 体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C | 0.85uC |
| 最高环境工作温度 | 150℃ |
| 最低环境工作温度 | -55℃ |
| 最小包装数量 | 50 |
| 包装方法 | 管装 |
| 生产状态 | 现货 |
| 工程技术 | MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。 |
