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发布时间：2018/1/19
电荷在导体中运动时，会受到分子和原子等其他粒子的碰撞与摩擦，碰撞和摩擦的结果形成了导体对电流的阻碍，这种阻碍作用最明显的特征是导体消耗电能而发热（或发光）。物体对电流的这种阻碍作用，称为该物体的电阻。电阻器(Resistor)在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阴值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。
0207 2.4K 1% 贴片色环圆柱电阻
电容：
陶瓷区别：
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
不同种类介绍：
NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%薄膜电容的来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封装DC=50V DC=100V
0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF
1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF
1210 560---56000pF 560---27000pF
2225 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%薄膜电容的来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封装DC=50V DC=100V
0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF
1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF
1210 560---56000pF 560---27000pF
2225 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封装DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.56μF 330pF---0.12μF
1206 1000pF---1.5μF 1000pF---0.47μF
1210 1000pF---2.2μF 1000pF---1μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---5.6μF
Z5U电容器
封装DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.56μF 330pF---0.12μF
1206 1000pF---1.5μF 1000pF---0.47μF
1210 1000pF---2.2μF 1000pF---1μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---5.6μF
Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封装DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---1.2μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---3.3μF 0.01μF---2.7μF
1210 0.01μF---6.8μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---10μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围10℃--- 85℃
温度特性22% ---- -56%
Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达22% 到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封装DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---1.2μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---3.3μF 0.01μF---2.7μF
1210 0.01μF---6.8μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---10μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围10℃--- 85℃
温度特性22% ---- -56%
Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达22% 到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示
封装DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---3.9μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---10μF 0.01μF---3.3μF
1210 0.1μF---15μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.68μF---22μF 0.68μF---15μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围-30℃--- 85℃
温度特性22% ---- -82%
封装DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---3.9μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---10μF 0.01μF---3.3μF
1210 0.1μF---15μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.68μF---22μF 0.68μF---15μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围-30℃--- 85℃
温度特性22% ---- -82%
103M 1KV/103高压瓷片电容
