IC芯片FDS6900AS_FDS6900价格/供应商

发布时间:2017/12/27

IC芯片FDS6900AS_FDS6900价格/供应商

FDS6900AS产品详细规格
标准包装 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.9A, 8.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 27 mOhm @ 6.9A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 15nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 600pF @ 15V
功率 - 最大 900mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 6.9@Q 1|8.2@Q 2 A
RDS -于 27@10V@Q 1|22@10V@Q 2 mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 9@Q 1|10@Q 1|10@Q 2|11@Q 2 ns
典型上升时间 4@Q 1|9@Q 1|5@Q 2|15@Q 2 ns
典型关闭延迟时间 23@Q 1|14@Q 1|26@Q 2|16@Q 2 ns
典型下降时间 3@Q 1|4@Q 1|3@Q 2|6@Q 2 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOIC
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 27@10V@Q 1|22@10V@Q 2
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 2
供应商封装形式 SOIC N
最大功率耗散 2000
最大连续漏极电流 6.9@Q 1|8.2@Q 2
引脚数 8
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.9A, 8.2A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 8-SOIC
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 27 mOhm @ 6.9A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 900mW
输入电容(Ciss ) @ VDS 600pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 15nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDS6900ASCT
类别 Power MOSFET
配置 Dual
外形尺寸 5 x 3.99 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 5mm
最大漏源电阻 0.022 (Transistor 2) Ω, 0.027 (Transistor 1) Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOIC N
典型栅极电荷@ VGS 10 nC @ 10 V (Transistor 2), 11 nC @ 10 V (Transistor 1)
典型输入电容@ VDS 570 pF @ 15 V (Transistor 2), 600 pF @ 15 V (Transistor 1)
宽度 3.99mm
工厂包装数量 2500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 6.9 A, 8.2 A
封装/外壳 SOIC-8
零件号别名 FDS6900AS_NL
下降时间 3 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.006596 oz
正向跨导 - 闵 25 S, 21 S
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 FDS6900AS
RDS(ON) 22 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 2 W
上升时间 4 ns
漏源击穿电压 30 V
Continuous Drain Current Id :6.9A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :27mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.9V
功耗 :2W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOIC
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Cont Current Id N Channel 2 :6.9A
Cont Current Id N Channel 3 :8.2A
Continuous Drain Current Id, N Channel :8.2A
Current Id Max :8.2A
Drain Source Voltage Vds, N Channel :30V
Module Configuration :Dual
No. of Transistors :1
On Resistance Rds(on), N Channel :0.017ohm
On State Resistance Channel 1 :27mohm
On State Resistance N Channel 2 :22mohm
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm N Channel 2 :20A
Pulse Current Idm N Channel 3 :30A
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900
FDS6900AS系列产品
型号 厂家 产品描述
FDS6900S Fairchild Semiconductor MOSFET Dual NCh PowerTrench
FDS6900S rochester electronics
FDS6900AS也可以通过以下分类找到
产品分类 分立 晶体管  MOSFET
产品分类 半导体与光电子 分立元件 MOSFET晶体管
产品分类 半导体与光电子 分立式半导体 晶体管 MOSFET
产品分类 半导体 - 分立元件 MOSFET的
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订购FDS6900AS.产品描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R. 生产商: fairchild semiconductor