IPD200N15N3G 现货库存 晶体管
发布时间:2016/8/8

产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 150 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 50 A
导通电阻: 20 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 6 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 150 W
上升时间: 11 ns
系列: IPD200N15
工厂包装数量: 2500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 23 ns
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