NTR4502PT1G NTR4502 丝印:TR2 封装SOT-23 全新原装 晶体管1.13A
发布时间：2016/10/17
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.13A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1.95A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：200pF @ 15V
功率 - 最大值：400mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
联系人：马秋生
QQ :2355705596
电话：0755-83677682
传真：0755-83759885
地址：深圳市福田区佳和华强大厦A座2101
价高可谈。
114IC：maximaic.114ic.com
买卖IC：a13168780808.mmic.net.cn/
维库/捷配：lintiankai.dzsc.com/
淘宝：shop112473357.taobao.com/index.htm?spm=a1z10.3-c.w5002-14232751864.2.NhBJAM
阿里巴巴：yataiyingke.1688.com/?spm=0.0.0.0.0u6VMb
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.13A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1.95A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：200pF @ 15V
功率 - 最大值：400mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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