IRF540NS F540NS N沟道 MOS场效应管 TO-263 原装正品
发布时间：2016/9/27
类别 分立半导体产品
家庭 晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 44 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1960pF @ 25V
功率 - 最大值 130W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
联系人：马秋生
QQ :2355705596
电话：0755-83677682
传真：0755-83759885
地址：深圳市福田区佳和华强大厦A座2101
价高可谈。
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114IC：maximaic.114ic.com
买卖IC：a13168780808.mmic.net.cn/
维库/捷配：lintiankai.dzsc.com/
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