IRLML6401TRPBF FCSA1SOT23 P沟道MOS管 场效应管 12V/4.3A
发布时间：2016/9/27
类别 分立半导体产品
家庭 晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 15nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 830pF @ 10V
功率 - 最大值 1.3W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 Micro3?/SOT-23
联系人：马秋生
QQ :2355705596
电话：0755-83677682
传真：0755-83759885
地址：深圳市福田区佳和华强大厦A座2101
价高可谈。
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