DMP4010SK3Q-13 MOSFET P-CH 40V 50A TO252
发布时间：2016/7/13
| 制造商: | Diodes Incorporated | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 40 V | |
| Id-连续漏极电流: | - 50 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 14 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 25 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | - 2.5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 91 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Diodes Incorporated | |
| 配置: | 1 P-Channel | |
| 下降时间: | 138 ns | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 3.3 W | |
| 上升时间: | 10 ns | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 303 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 13.2 ns |
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