STB25NM60ND 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科

发布时间:2016/7/6

STB25NM60ND 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科

标准包装 ?1
类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列FDmesh?? II
包装 ?Digi-Reel??
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)21A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)160 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)2400pF @ 50V
功率 - 最大值160W
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK