STB23NM50N 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科
发布时间：2016/7/5
STB23NM50N 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科 
标准包装  | 1,000 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh? II |
| 包装 | 带卷（TR） |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 17A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 190 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 45nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1330pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
