STD60N55F3 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科

发布时间:2016/7/4

STD60N55F3  代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科
标准包装 ?2,500
类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列STripFET?? III
包装 ?带卷(TR)?
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)80A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)8.5 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)2200pF @ 25V
功率 - 最大值110W
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak