STD60N55F3 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科
发布时间:2016/7/4
STD60N55F3 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 尽在亚泰盈科 

标准包装 ![]() | 2,500 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET?? III |
包装 ![]() | 带卷(TR)![]() |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 80A(Tc) |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 8.5 毫欧 @ 32A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 110W |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |



