STS7NF60L 代理ST ADI IDT FH INTEL IR 尽在亚泰盈科
发布时间：2016/7/3
标准包装  | 2,500 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET?? II |
| 包装 | 带卷（TR） |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 7.5A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 19.5 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
